2020年6月24日，美国旧金山法院发出逮捕令，理由是涉嫌窃取美国存储大厂位于爱达荷州的美光DRAM技术商业机密的三位嫌疑人列入通缉名单。

三位嫌疑人当中有一位是大陆芯片制造商福建晋华前总裁陈正坤，另外两位是台湾联华电子公司的两位工程师何建廷和王永铭，他们都曾在美光任职。

而美国之所以会这样做，是因为福建晋华对美国产生了威胁，福建晋华成立于2016年2月，主要负责攻关内存芯片。

芯片如果按照用途分类可以分为存储芯片和非存储芯片，存储芯片是半导体产业的重要分支，根据世界半导体贸易统计(WSTS)数据显示,2019年,全球半导体工业最大的领域是逻辑、存储芯片,其中存储芯片占半导体行业销售额的25.82%。而2020年全球半导体市场约4331亿美元。而存储芯片2020全年市场规模达到了1194亿美元。

直到2018年，中国进口了超过900亿美元的存储芯片，这其中三星电子、SK海力士和美光电子三分天下，而国内厂商的份额为——0％。

存储芯片的种类很多，其中，最常见的就是内存（DRAM）芯片和闪存（NAND）芯片，DRAM凭借体积小、价格低、集成度高、功耗低、读写速度快等特点，一直是适用于内存最好的介质。因此，随着中国对存储芯片的需求越来越高，2014年以后，随着集成电路产业逐渐成为经济结构升级的重点发展方向，

福建晋华第一期投资就高达370亿，思路是跟台湾的联华电子合作。合作的方式简单粗暴，晋华提供三亿美元资金采购研发设备，并依进度陆续支付联电四亿美元，开发出的技术成果双方共有，整体技术完成后，再转移到晋华进行量产。

为此，福建晋华邀请了著名的芯片大佬陈正坤担任总裁，陈正坤原为美光公司2013年收购的一家电子公司瑞晶的总经理兼董事长，后来成为美光公司在台湾一家子公司美光记忆体股份有限公司 (MMT) 的总裁。这家子公司负责为美光公司制造25nm DRAM芯片。在2015年，陈正坤从MMT辞职后，加入联电担任副总，后来因为晋华和联电的合作，来到了晋华担任总裁。

陈正坤曾被问及为什么要加入联电和中国大陆 DRAM 技术合作研发计划，陈正坤曾表示，当年瑞晶被美光兼并这件事对他的冲击非常大，自主开发 DRAM 技术一直是他心中的梦想。

福建晋华原预估2018年9月正式投产，到2019年底一厂一期项目可实现月产6万片12英寸晶圆的产能，到2020年底一厂二期也将达产6万片。并适时启动二厂的建设，到二厂达产时，总产能将达24万片。是三家DRAM厂商中进度最快的。

中国对存储芯片的扶持引起了美国的忧虑，因为美国一直以来都在存储芯片市场都有话语权（三星美国也具有股份），要知道正因为具备主导权，韩半导体厂商可以随意调配内存产量与价格，内存条价格一路狂飙，以8GB DDR4内存价格为例，2016年时均价200元左右，而2017年8GB内存条的最高峰单价已经突破了800元，涨价幅度已经高达400%。

因此2017年，美光把福建晋华和台湾联电告了，说他们窃取美光的知识产权。美光1978年成立于美国，是全球最大的半导体储存和影像产品制造商之一。存储技术是美光科技的核心竞争力，多年来，美光销售主要在亚洲市场，而中国市场则是重中之重。

那晋华真的窃取了美国技术吗，其实美国自己都说了“福建晋华即将完成DRAM的量产，该技术可能源自美国，且将威胁到为美国军方提供此类芯片的供应商的生存”。

这句话的意思就是说，不管你有没有窃取美国的技术，你的出现会威胁到美国企业的市场地位，所以我要制裁你。

事实上，并不是晋华窃取了美光的专利，而是美光窃取了晋华的专利，2018年1月，福建晋华起诉美光科技，称美光生产、销售的部分DRAM内存芯片产品侵犯了晋华专利权，要求法院判令美光科技停止加工、使用、进口、销售、许诺销售相关侵权产品。7月，福建晋华胜诉，美光立即停止制造、销售、进口十余款英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片产品，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告。

然而随着晋华的胜诉，2018年10月，美商务部还将晋华列入实体清单，晋华刚刚落成并投产的12寸DRAM新厂内，美国三大半导体设备供应商Applied Materials、Lam Research、Axcelis当天就将驻厂技术人员全数撤出；机台设备全面停产，订单生产的机台设备全部暂停出货；因为连同其他美国的设备材料供应商KLA-Tencor、Engegris以及美系的芯片设计工具EDA供应商也被列入管制清单，所有的关键材料供应也将悉数中止。这使得晋华的生产计划陷入停滞。

2018年底，联电迫于美国的压力，终止了跟晋华的合作，这让晋华更加生存艰难，但是晋华一直没有放弃对DRAM芯片的研发。。

因此，美国一直持续对晋华进行制裁打压，这才有了通缉陈正坤这一事件发生，不过无论是中国台湾还是中国内地，都和美国之间都没有引渡条约。陈正坤很安全，目前，他还没有被美国给逮捕。

在晋华被制裁之后，合肥长鑫和长江存储并没有停下脚步，2019年合肥长鑫总投资1500亿元的DRAM芯片自主制造项目正式投产，量产了19nm工艺的DDR4、LPDDR4内存，长江存储成功量产8Gb DDR4内存芯片和晶圆，紫光的8Gb DDR4内存颗粒单芯片最高带宽为10.4GB/S，支持TSV封装可扩展到16Gb容量，内嵌ECC自纠错功能保护，是业界首款支持X32 IO规格并兼容JEDEC的DDR4芯片。

而福建晋华在美国的艰难打压下，也没有投降，2021年1月8日，晋华成功研制具备自主知识产权的25nm内存芯片并小批量试产，在美国的全方位制裁打压下，晋华做出这样的成绩，背后的努力和付出可想而知。

目前，中国在DRAM存储芯片和闪存芯片上都已经打破了美韩的垄断，而在接下来中国要做的，就是可以全部实现市场替代，从而不被美韩卡脖子。让我们也为中国芯片厂商加油，希望它们可以取得更加卓越的成绩。

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