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据外媒12月24日报道，中国高科技企受到北美限制后加强了对国内供应的需求，为中国芯片业发展带来了3000亿美元的投资机会。当前，中国已经有近2000家芯片设计相关企业，主要有华为，紫光展锐，依图科技等，中国芯片企业占全球芯片营收13%。而重视之下必有突破，近期中国芯片更是迎来了三大利好消息。

过去五年由于深受存储芯片短缺之苦，中国掀起了一股存储芯片发展热潮。经过坚持不懈的努力之后，今年中国在存储芯片领域不断取得新的突破。据日媒报道，中国新兴芯片产业的产量有望在2020年底占到全球存储芯片总产量的5%左右，而这一占比在去年还几乎为零。

据了解，今年9月中国半导体企业紫光集团旗下的长江存储已经开始对自主研发的64层3D NAND闪存芯片进行量产。而据其预计，到明年年底，其投资240亿美元新建的武汉工厂的产量将增加两倍，达到每月6万片，占全球产量的5%。与此同时，长鑫存储在合肥投资80亿美元所建工厂的DRAM芯片产量将增加三倍，达到每月4万片，占世界DRAM产量的3%。

目前，NAND闪存和DRAM芯片的全球产量均为每月130万片左右。这两个市场都由美国、韩国和日本的制造商所主导，比如三星电子、SK海力士、美光科技。虽说，长江存储和长鑫存储加起来每月10万片的出货量对于大公司而言显得微不足道，但是，此前在这两个市场中国都是"零生产"，这10万片意味着中国推动技术自给自足的努力即将取得重大突破，同时也是打破美日韩垄断的关键。

在一般情况下，芯片的生产过程包括两个环节，一个环节是设计，一个环节是制造。我国在芯片设计环节，包括华为海思等知名中国科技企业均已经研发出7nm工艺制程的芯片，但是芯片制造环节却依旧是中国企业最大的短板，毕竟用于生产制造芯片的光刻机便是一大难题。而在意识到芯片制造过程受限于人将会产生连锁弊端后，中国开始在国产光刻机领域进行了巨额投入，并且不断传来好消息。

前段时间，中国自主研发的14nm光刻机已经初步通过了专家组的验收和审核，而继14nm制程工艺后，一个振奋人心的消息再次传来，国产光刻机再一次实现了新的技术突破。据媒体报道，武汉光电国家研究中心的甘宗松团队，目前已经成功研发9nm工艺制程的光刻机。值得一提的是，与传统光刻机不同，这款国产光刻机利用二束激光突破了衍射极限的限制，而这是中国具有自主产权的技术。

这也意味着国产光刻机的技术难关已经被攻破，打破了长期以来国外对中国的技术封锁与限制，不过即便目前国产光刻机在9nm制程工艺方面有所突破，而与荷兰ASML所掌握的7nm工艺制程相比还是存在一定的差距。但是不可置否的是这确实是中国芯片发展史上的一个重要里程碑，一旦国产光刻机实现量产，未来能否打破ASML垄断我们可以拭目以待。

另外，除了光刻机，蚀刻机也是半导体工艺中不可缺少的一步。据了解，光刻机、蚀刻机和MOCVD等设备，一并被称为半导体工艺三大关键设备。刻蚀机作为芯片制造中的一种关键设备，用来在芯片上进行微观雕刻，一定程度上决定了芯片制造的最高水平。然而，鲜为人知的是，我国国产刻蚀机水平早已遥遥领先世界。

根据摩尔定律的发展走，台积电的芯片制程已经从14nm发展到5nm，并将进入大规模的生产节点，而芯片制程不断地演进，对设备的加工精度要求也随之提升。值得一提的是，经台积电验证，中微半导体自主研制的5nm等离子体刻蚀机，性能优良，将用于全球首条5nm芯片制程生产线。

而中微半导体的5nm蚀刻机成功打入台积电的供应链，则意味着创造了中国半导体设备的又一个里程碑。可以看出，越来越多的证据表明，中国的芯片制造正在进入一个新时代，虽说，如今我国芯片产业与世界一线水平仍存在着一定的差距，但是我们仍要相信：道阻且长，行则将至。

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