长江存储成功研发128层闪存“中国芯”实现跨越
时间:2020-04-15 来源:新闻网 人浏览 -
【侨报讯】13日,紫光集团旗下长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这是全球首款128层QLC规格的3D NAND闪存芯片,也是中国首款128层3D NAND闪存芯片。长江存储预计,128层产品今年底到明年上半年量产,维持明年单月10万片产能目标不变。
长江存储成功研发128层闪存。(图片来源:北京《经济观察报》)
北京《中国证券报》报道,“存储芯片是整个ICT行业的底盘之一,手机、电脑、服务器等设备都要用它,云计算、5G等技术也是基于存储芯片技术的发展。目前中国在这方面与海外差距较大。”一位电子行业卖方首席研究员表示,“长江存储的128层产品市场销路会不错。”
长江存储填补了中国在3D NAND闪存芯片领域的空白,它是目前中国唯一能够在该领域实现量产的厂商。尽管起步晚于国际大厂,但长江存储发展迅速,技术水平已跻身全球第一梯队。
存储器是半导体产业的重要分支。中信证券电子组表示,存储芯片产业2019年全球销售额约1200亿美元,约占全球4000亿美元半导体市场的30%。其中,DRAM约620亿美元,NAND Flash约570亿美元。韩美3家DRAM厂商占全球95%的份额,其中韩国厂商三星、SK海力士占75%。韩美日6家NAND Flash厂商占全球99%的份额,其中韩国三星、SK海力士以及日本铠侠(原东芝)3家的份额超过60%。(完)