比DDR5 6000还要算快的内存—HBM

大家或多或少通过网络了解到DDR5的相关消息，DDR5 6000也是情理之中的事。然而这并不是最快、延迟最低的内存，有一种内存几乎与处理器直连、没有物理连线上的能量损耗，是一种较为理想低延迟高速内存，它就是HBM（High Bandwidth Memory高带宽存储器或高带宽内存）。

实际上，HBM 是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片（即 “RAM”），它能够像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。基于这种设计，信息交换的时间会因此缩短。这些堆叠的芯片通过称为“中介层 (Interposer)”的超快速互联方式连接至 CPU 或 GPU。

将HBM的堆栈插入到中介层中，放置于 CPU 或 GPU 旁边，然后将组装后的模块连接至电路板。

尽管这些 HBM 堆栈没有以物理方式与 CPU 或 GPU 集成，但通过中介层紧凑而快速地连接后，HBM 具备的特性几乎和芯片集成的 RAM 一样。

在过去的七年里，GDDR5 在业界发挥了重要作用。迄今为止，这项显存技术中的海量存储功能几乎应用在每个高性能显卡上，现在已经升级为GDDR6。

但是随着显卡芯片的快速发展，计算机行业对快速传输信息（“带宽”）的要求也在不断提高。即使升级到GDDR6也渐渐不能满足业内对带宽的需要，技术发展也已进入了瓶颈期。每秒增加 1 GB 的带宽将会带来更多的功耗，这不论对于设计人员还是消费者来说都不是一个明智、高效或合算的选择。因此，GDDR5 /GDDR6将会渐渐阻碍显卡芯片性能的持续增长。HBM 重新调整了内存的功耗效率，使每瓦带宽比 GDDR5 高出 3 倍还多。

除了性能和功耗外，HBM 在节省产品空间方面也独具匠心。随着游戏玩家对更轻便高效的电脑追求，HBM 应运而生，它小巧的外形令人惊叹，使游戏玩家可以摆脱笨重的 GDDR5 芯片，尽享高效。实际上，HBM 比 GDDR5 节省了 94% 的表面积。

轻便高效、低延迟、通用性强势是HBM的特性。2016年1月被JEDEC认可为业界标准（JESD235a）。首款使用第二代高带宽存储器技术的图形处理器是于2016年4月发布的英伟达 Tesla P100。正是由于HBM用途广泛，三星和海力士才不断发展HBM，现在已经发展到HBM4了。

主要用途是HBM最先进的 TSV（硅通孔）技术与高输入/输出密度和高带宽相结合，为下一代技术（如 AI、机器学习、高性能计算等）的令人振奋的进步开启了大门。此外，HBM也为高性能图形显卡提供惊人的显存速度。

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